套筒式衰减芯片

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价格合理
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套筒式衰减片是一种用于制作同轴衰减器的芯片：
• 衰减精度高；
• 频率范围广；
• 插入损耗低：；
• 良好的阻抗匹配；
• 温度稳定性好；
• 耐用性强；
• 灵活的组装；
为制作同轴衰减器提供了方便

产品特点

创建时间：2023-07-01 00:35

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产品介绍

产品介绍

额定功率：2-50W；
基片材料：BeO、AlN、Al2O3
衰减值：1-60dB
温度系数：＜150ppm/℃
工作温度：-55～+150℃
ROHS标准：符合
采用标准：Q/RFTYTR001-2022套筒式衰减片

功率 W	频率 GHz	外形尺寸（单位：mm）		衰减值（dB）	基片基材	套筒材料	型号
功率 W	频率 GHz	φ	L	衰减值（dB）	基片基材	套筒材料	型号
2	DC-12.4	7.15	6.5	01-10，15，20，25，30	Al2O3	铝（氧化）	RFTXXA-02TA7265-12.4
	DC-18.0	5.4	3.2	01-10	Al2O3	铜（镀银）	RFTXXA-02TA5432-18
	DC-18.0	5.4	6.4	15，20，25，30	Al2O3	铜（镀银）	RFTXXA-02TA5465-18
5	DC-12.4	7.15	6.5	01-10，15，20，25，30	BeO	铝（氧化）	RFTXX-05TA7265-12.4
	DC-18.0	5.5	6.5	01-10，15，20，25，30	BeO	铝（氧化）	RFTXX-05TA5565-18
	DC-18.0	7.15	6.5	01-10，15，20，25，30	BeO	铝（氧化）	RFTXX-05TA7265-18
10	DC-6.0	7.4	11.8	01-10，15，20，25，30，40	ALN	铝（氧化）	RFTXX-10TA7412-6
		7.4	15.9	01-10，15，20，25，30，40	ALN	铝（氧化）	RFTXX-10TA7416-6
		14.0	12.9	01-10，15，20，25，30，40	ALN	铝（氧化）	RFTXXN-10TA1413-6
	DC-12.4	7.15	6.5	01-10，15，20，25，30	BeO	铝（氧化）	RFTXX-10TA7265-12.4
	DC-18.0	7.35	10.2	01-10，15，20，25，30，40，50	BeO	铝（导电氧化）	RFTXX-10TA7310-18
20	DC-6.0	7.4	22.9	01-10，15，20，25，30，40，50	ALN	铝（氧化）	RFTXX-20TA7423-6
	DC-10.0	14.0	19.2	01-10，15，16.5，20，25，26.5，30，40，50	BeO	铝（导电氧化）	RFTXX-20TA1419-10
	DC-18.0	7.35	22.2	01-10，15，20，25，30，40，50，60	BeO	铝（导电氧化）	RFTXX-20TA7322-18
30	DC-10.0	14.0	32.2	01-10，15，20，25，30，40，50，60	BeO	铝（导电氧化）	RFTXX-30TA1432-10
50	DC-6.0	14.0	40.2	01-10，15，16.5，20，25，30，40，50，60	BeO	铝（导电氧化）	RFTXX-50TA1440-6
50	DC-8.0	14.0	40.2	01-10，15，16.5，20，25，30，40，50，60	BeO	铝（导电氧化）	RFTXX-50TA1440-8

套筒式衰减片的主要用于制制同轴衰减器，它的频率一般比法兰式、贴片式的要高很多，最低频率都可以达到6GHz，套筒式衰减片是由旋置微带衰减片外加弹性接地包边制作而成，主要解决了用户制作弹性接地的问题。

用套筒式衰减片制作同轴衰减器，就像搭积木一样的简单，它所需要的就是连接器内导体与套筒式衰减片接触的地方也是弹性接触，连接器的外壳设计成螺纹，与散热器配合，组装的时候，将套筒式衰减片放入散热器的中间，两边拧上连接器的螺纹即可。