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套筒式衰减芯片

产品特点

创建时间:2023-07-01 00:35
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    RFTYT  套筒式衰减芯片
    功率 频率 芯片材料 套筒材料 衰减值
    dB
    驻波
    (Max)
    尺寸
    Φ*Lmm
    2W DC-18GHz Al2O 铜(镀银) 1-10 1.25 Φ5.4*3.2
    DC-18GHz Al2O3  铜(镀银) 15,20,25,30 1.25 Φ5.4*6.5
    DC-12.4GHz Al2O3  铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.30 Φ7.15*6.5
    5W DC-12.4GHz BeO 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.30 Φ7.15*6.5
    DC-18GHz BeO 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.30 Φ5.5*6.5
    Φ7.15*6.5
    10W DC-18GHz BeO 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.30 Φ7.35*10.2
    20W DC-6GHz ALN 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.20 Φ7.2*48.0
    DC-10GHz BeO 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.25 Φ14*19.2
    30W DC-10GHz BeO 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.25 Φ14*32.2
    50W DC-6GHz
    DC-8GHz
    BeO 铝(导电氧化) 1-10,15,20,25,30 1.20
    1.25
    Φ14*40.2